品牌： Infineon Technologies

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Discontinued at Digi-Key

FET 类型： N and P-Channel

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A, 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 2.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V

功率 - 最大值： 1.4W

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： International Rectifier

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： N and P-Channel

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A (Ta), 3A (Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 2.4A, 10V, 100mOhm 1.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF, 440pF 15V

功率 - 最大值： 1.4W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -55°C # 150°C (TJ)