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自营现货库存

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	IXFN44N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥279.759967 +30：￥268.941969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 264 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFN44N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥951.947537 +10：￥923.671831 +25：￥895.396231 +50：￥868.466996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 264 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFN44N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥314.842513 +200：￥306.971473 +300：￥299.100434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 264 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFN44N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥338.169148 +10：￥307.406853 +100：￥276.665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 264 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFN44N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥827.25134 +10：￥751.998616 +100：￥676.795896	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 264 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFN44N100Q3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B 下载数据手册	+1：￥945.99923 +10：￥859.76173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Q3 Class 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 264 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IXFN44N100Q3 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+300：￥779.320655 +500：￥771.521208 +1000：￥763.877752 +2000：￥756.234294 +2500：￥748.590838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN44N100Q3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q3-Class系列, Vds=1000 V, 38 A, SOT-227封装, 螺纹, 4引脚下载数据手册未分类	+10：￥487.043097 +20：￥472.433737 +40：￥458.260903	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN44N100Q3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q3-Class系列, Vds=1000 V, 38 A, SOT-227封装, 螺纹, 4引脚下载数据手册未分类	+1：￥482.91159 +3：￥468.432234 +5：￥454.370323	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN44N100Q3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Q3 Class
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	264 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	960W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）