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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK22N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 22A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥265.772992 +10：￥247.932544 +100：￥215.272574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK22N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 22A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥650.151159 +10：￥606.508696 +100：￥526.613757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK22N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 22A TO264 下载数据手册未分类	+1：￥743.051736 +10：￥661.997563 +25：￥622.628392 +50：￥601.785891 +100：￥581.108806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK22N100L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-264 下载数据手册未分类	+300：￥399.282916 +25000：￥359.432005	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTK22N100L参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Linear
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 11A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	270 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7050 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264（IXTK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）