类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 3A

功率(Pd)： 300mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 85mΩ@10V,4.1A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 98 毫欧 3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Micro3™/SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -