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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥264.265098 +210：￥105.448156 +510：￥101.918647 +990：￥100.181211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

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	IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥206.323997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

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	IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

自营国内现货

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	IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥143.610646 +10：￥127.588657 +100：￥111.593361 +500：￥95.226374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥351.309691 +10：￥312.115661 +100：￥272.98693 +500：￥232.948944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管	+1：￥341.545401 +25：￥276.504699 +100：￥260.326233 +240：￥260.162814 +480：￥235.813405	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 59A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package 下载数据手册未分类	+1：￥240.667839 +25：￥219.597697 +100：￥214.291144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package 下载数据手册未分类	+1：￥170.436439 +10：￥169.964313 +25：￥146.547009 +50：￥145.13064 +100：￥140.126136	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package 下载数据手册未分类	+1：￥303.386301	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥238.186336	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMZA65R027M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-