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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR6225PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.666477 +200：￥2.222165 +500：￥1.777732 +1000：￥1.481403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 21A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -50°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLR6225PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.630139 +200：￥1.017837 +500：￥0.982127 +1000：￥0.964378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 21A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -50°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR6225PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 21A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -50°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRLR6225PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 21A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -50°C # 150°C（TJ）
	IRLR6225PBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100A DPAK 下载数据手册	+1：￥13.251111	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4mOhm @ 21A, 4.5V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 1.1V @ 50µA Supplier Device Package： D-PAK (TO-252AA) Part Status： Active Vgs (Max)： ±12V Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3770 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR6225PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 100A DPAK 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 21A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3770 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 63W（Tc）工作温度： -50°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -50°C # 150°C（TJ）

IRLR6225PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Digi-Key 停止提供
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 21A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	72 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3770 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	63W（Tc）
工作温度:	-50°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-50°C # 150°C（TJ）