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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥95.4569	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册未分类	+240：￥91.026371	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥238.886581 +10：￥219.585632 +100：￥185.449281 +500：￥164.970459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册未分类	+1：￥269.786934 +10：￥248.107628 +100：￥209.566636 +480：￥186.442043	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R048M1HXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥240.360278 +10：￥218.536756 +100：￥184.036243 +240：￥182.252166 +480：￥161.647343	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMZA65R048M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-