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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥11.196186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4020pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N06S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册未分类	+5000：￥11.153801 +10000：￥10.724733	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 65W Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 28µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-10 Part Status： Active
	IPG20N06S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥25.353978 +10：￥22.734997 +100：￥18.274368 +500：￥15.014571 +1000：￥12.440725	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 65W Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 28µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-10 Part Status： Active
	IPG20N06S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥25.353978 +10：￥22.734997 +100：￥18.274368 +500：￥15.014571 +1000：￥12.440725	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 65W Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4020pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 11.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 28µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-10 Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S4L11AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管	+1：￥28.53972 +10：￥23.727791 +100：￥18.91586 +250：￥18.086218 +500：￥15.82959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 28µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4020pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPG20N06S4L11AATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.2 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4020pF 25V
功率 - 最大值:	65W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-10
温度:	-55°C # 175°C（TJ）