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自营现货库存

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	IXFK94N50P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥79.911126 +10：￥70.142146 +30：￥64.186784 +100：￥59.203949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFK94N50P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA 下载数据手册未分类	+250：￥50.808161	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFK94N50P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥237.179956	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFK94N50P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.467582 +10：￥109.793731 +100：￥92.728453 +500：￥82.488614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFK94N50P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥292.249361 +10：￥268.584558 +100：￥226.838367 +500：￥201.789007	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFK94N50P2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA 下载数据手册未分类	+1：￥345.60356 +10：￥319.205539 +25：￥262.036815 +100：￥253.615359 +250：￥239.687567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, PolarP2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 94A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IXFK94N50P2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-264 下载数据手册未分类	+300：￥158.896465	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK94N50P2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, PolarP2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	94A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	220 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264AA（IXFK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）