品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 24A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 7.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 62 µA 1200 V

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： PG-TO247-3-41

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 24A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 7.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 62 µA 1200 V

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： PG-TO247-3-41

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 24A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 7.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 62 µA 1200 V

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： PG-TO247-3-41

温度：

Packaging： Tube

Package / Case： TO-247-3

Mounting Type： Through Hole

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Diode Configuration： 1 Pair Common Cathode

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)： 24A (DC)

Supplier Device Package： PG-TO247-3-41

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 1200 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.6 V @ 7.5 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 62 µA @ 1200 V

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 24A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 7.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 62 µA 1200 V

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： PG-TO247-3-41

温度：