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	IXFN170N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥215.047082 +200：￥83.225059 +500：￥80.294747 +1000：￥78.855848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXFN170N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥438.211531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFN170N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥398.746349 +10：￥367.672448 +30：￥351.071371 +100：￥296.490987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IXFN170N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥201.020231 +10：￥185.408798 +100：￥158.327132	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IXFN170N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥491.74875 +10：￥453.559047 +100：￥387.310115	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXFN170N25X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B 下载数据手册	+1：￥511.854237 +10：￥471.965943 +30：￥450.655758 +100：￥402.981051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.4 毫欧 85A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFN170N25X3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X3
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	170A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.4 毫欧 85A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	190 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	390W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）