IRL2910STRRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.019961 +200：￥21.683321 +500：￥17.34656 +800：￥14.455507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

自营现货库存

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	IRL2910STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥26.706248 +200：￥10.337197 +500：￥9.976598 +800：￥9.790834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.692703	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

自营国内现货

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	IRL2910STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥12.857655	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥31.453232	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -
	IRL2910STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册未分类	+800：￥30.957428 +1600：￥26.108498 +2400：￥24.80308 +5600：￥23.870678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 26mOhm @ 29A, 10V FET Feature： - Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： D2PAK Part Status： Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3700 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥23.726115 +1600：￥23.492156 +2400：￥22.638898 +4800：￥21.771877	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRL2910STRRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥23.881904 +800：￥22.290818 +1600：￥21.604466 +2400：￥20.918115 +4800：￥20.590538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2910STRRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+800：￥9.44644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL2910STRRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 5 V
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-