IXTH16N10D2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH16N10D2 授权代理品牌	N沟道耐压:100V 电流:16A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):16A 功率(Pd):830W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@8A,0V 下载数据手册未分类	+1：￥87.308887 +200：￥33.787119 +500：￥32.606974 +1000：￥32.016901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	耐压： 100V 电流： 16A 类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 16A 功率(Pd)： 830W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 64mΩ@8A,0V

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH16N10D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 8A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5700 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH16N10D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 8A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5700 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH16N10D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 16A TO247 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 8A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 225 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5700 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH16N10D2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+300：￥127.55911	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH16N10D2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 16A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥155.654018 +10：￥137.150588 +30：￥120.745749 +120：￥114.846663 +270：￥107.399224	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH16N10D2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 100V, 16A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥159.262621 +10：￥146.335833 +25：￥140.264345 +100：￥123.594059 +250：￥117.52257	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH16N10D2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	64 毫欧 8A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	225 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5700 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	830W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）