IPZ60R040C7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.13577	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥166.985799 +8：￥158.625459 +15：￥153.876118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥72.827516 +30：￥58.963642 +120：￥55.494801 +510：￥50.292269 +1020：￥46.130081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥178.155403 +30：￥144.240691 +120：￥135.754988 +510：￥123.028216 +1020：￥112.8464	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 下载数据手册未分类	+1：￥181.481812 +10：￥165.991451 +25：￥163.545604 +50：￥160.773645 +100：￥149.196638	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPZ60R040C7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥144.233756 +250：￥142.80147 +500：￥141.369183 +1000：￥141.331492 +2000：￥139.911769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPZ60R040C7XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥132.252846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPZ60R040C7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+2：￥181.538861 +5：￥141.864807 +10：￥134.651341 +50：￥119.141921 +100：￥109.163766	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPZ60R040C7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥78.368401	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPZ60R040C7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 24.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1.24mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	107 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4340 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-4
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）