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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX120N25P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥206.736653

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¥178.797849

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¥162.035133

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24mOhm 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 700W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C (TJ)

Mouser
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IXFX120N25P_晶体管
IXFX120N25P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247

晶体管

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¥238.956252

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¥221.447926

+30:

¥207.019766

+60:

¥199.562516

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¥191.94315

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24mOhm 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 700W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C (TJ)

IXFX120N25P参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24mOhm 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 185 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700W (Tc)
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C (TJ)