IXFK200N10P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK200N10P Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥208.503239 +200：￥83.200234 +500：￥80.41378 +1000：￥79.047871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK200N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA 下载数据手册未分类	+25：￥218.790944 +50：￥214.918515 +75：￥211.046198 +100：￥207.17377 +125：￥205.237499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 235 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK200N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥94.808745 +25：￥62.856447 +100：￥58.313632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 235 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK200N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥231.927311 +25：￥153.763524 +100：￥142.650595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 235 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK200N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA 下载数据手册未分类	+1：￥251.396662 +25：￥166.658077 +100：￥165.828932	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 235 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264AA（IXFK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK200N10P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264 下载数据手册未分类	+300：￥200.638023 +500：￥199.260503 +1000：￥197.867507 +2000：￥196.474509 +2500：￥195.066034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFK200N10P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds 下载数据手册未分类	+25：￥106.312264 +100：￥104.279525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFK200N10P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	235 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264AA（IXFK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）