锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 IPG20N06S415ATMA2 共 6 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPG20N06S415ATMA2_射频晶体管
IPG20N06S415ATMA2
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V

功率 - 最大值： 50W

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerVDFN

供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPG20N06S415ATMA2_射频晶体管
IPG20N06S415ATMA2
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+5000：

￥7.891715

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V

功率 - 最大值： 50W

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerVDFN

供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPG20N06S415ATMA2_未分类
IPG20N06S415ATMA2
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

下载数据手册

未分类
+5000：

￥6.615576

+10000：

￥6.31028

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 50W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2260pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15.5mOhm @ 17A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 20µA

Supplier Device Package： PG-TDSON-8-4

IPG20N06S415ATMA2_未分类
IPG20N06S415ATMA2
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

下载数据手册

未分类
+1：

￥16.820332

+10：

￥13.734497

+100：

￥10.686602

+500：

￥9.058193

+1000：

￥7.378942

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 50W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2260pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15.5mOhm @ 17A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 20µA

Supplier Device Package： PG-TDSON-8-4

IPG20N06S415ATMA2_未分类
IPG20N06S415ATMA2
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

下载数据手册

未分类
+1：

￥16.820332

+10：

￥13.734497

+100：

￥10.686602

+500：

￥9.058193

+1000：

￥7.378942

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerVDFN

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 50W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2260pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15.5mOhm @ 17A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 20µA

Supplier Device Package： PG-TDSON-8-4

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPG20N06S415ATMA2_未分类
IPG20N06S415ATMA2
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 8TDSON

下载数据手册

未分类
+1：

￥25.033394

+10：

￥20.597096

+100：

￥16.00236

+500：

￥13.641616

+1000：

￥11.122432

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V

功率 - 最大值： 50W

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerVDFN

供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPG20N06S415ATMA2参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.5 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2260pF 25V
功率 - 最大值: 50W
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-4
温度: -55°C # 175°C（TJ）