IPP60R160P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP60R160P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.498039 +10：￥34.5818 +30：￥27.66544 +100：￥23.054493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160毫欧 6.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1317 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 81W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP60R160P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.81176 +10：￥15.462087 +30：￥15.221687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160毫欧 6.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1317 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 81W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP60R160P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.945082	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160毫欧 6.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1317 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 81W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP60R160P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.525411 +50：￥14.077271 +100：￥11.582588 +500：￥9.800437 +1000：￥8.315459	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160毫欧 6.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1317 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 81W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP60R160P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.871798 +50：￥34.436733 +100：￥28.33408 +500：￥23.974466 +1000：￥20.341817	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160毫欧 6.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1317 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 81W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPP60R160P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册未分类	+1：￥48.964926 +10：￥43.893559 +25：￥39.346817 +100：￥32.701576 +500：￥27.28046	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160毫欧 6.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1317 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 81W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥22.524802 +1000：￥20.652935 +2000：￥19.982181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP60R160P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+16：￥20.154042 +50：￥18.546665 +100：￥18.299377	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP60R160P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥24.227837 +10：￥15.98841 +50：￥14.713263 +100：￥14.517085	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP60R160P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 20A, 150DEG C, 81W 下载数据手册未分类	+1：￥29.743541 +10：￥23.630991 +100：￥20.202923 +500：￥17.102537 +1000：￥14.405454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP60R160P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160毫欧 6.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1317 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	81W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）