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IRFHM830DTRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.3 毫欧 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.35V 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 27 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1797 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.8W(Ta),37W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PQFN(3x3) |
封装/外壳: | 8-VQFN 裸露焊盘 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |