IXFH170N10P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH170N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥27.46023 +10：￥26.892011 +30：￥26.520484 +100：￥26.13803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 198 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 715W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH170N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.744645 +10：￥64.118466 +100：￥54.15336 +500：￥48.173187 +1000：￥44.186479	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 198 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 715W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH170N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥170.613882 +10：￥156.850757 +100：￥132.473468 +500：￥117.844379 +1000：￥108.091836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 198 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 715W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH170N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥184.726075 +10：￥169.717957 +30：￥162.704818 +120：￥143.348556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 198 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 715W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH170N10P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+30：￥119.922578 +50：￥118.666187 +100：￥106.604827 +250：￥105.448947 +500：￥104.43127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFH170N10P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+1：￥90.350741 +10：￥81.241421 +120：￥65.692755 +270：￥65.492864	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH170N10P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	170A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	198 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	715W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）