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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7902TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22.6 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W，2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7902TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+54：￥1.450508 +100：￥1.390028 +300：￥1.329615 +500：￥1.269135 +1000：￥1.208723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22.6 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W，2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7902TRPBF International 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册	+54：￥1.450508 +100：￥1.390028 +300：￥1.329615 +500：￥1.269135 +1000：￥1.208723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7902TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+54：￥3.548326 +100：￥3.400376 +300：￥3.252591 +500：￥3.104641 +1000：￥2.956856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22.6 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W，2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7902TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+54：￥3.548326 +100：￥3.400376 +300：￥3.252591 +500：￥3.104641 +1000：￥2.956856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7902TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+54：￥3.548326 +100：￥3.400376 +300：￥3.252591 +500：￥3.104641 +1000：￥2.956856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

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	IRF7902TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A，9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22.6 毫欧 6.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W，2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7902TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.4A，9.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22.6 毫欧 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	580pF 15V
功率 - 最大值:	1.4W，2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）