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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH72N30X3 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥147.463509 +210：￥58.843349 +510：￥56.87644 +990：￥55.903913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IXFH72N30X3 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥49.478679 +10：￥43.129935 +30：￥39.261681 +90：￥36.027209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥69.099099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥121.510127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥93.762879 +90：￥92.200085 +150：￥90.637407 +300：￥89.074729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥167.520057 +30：￥106.335766 +120：￥94.817117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥183.738457 +10：￥169.477169 +30：￥130.341541 +120：￥122.381753 +270：￥120.889292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH72N30X3 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+300：￥129.161792 +500：￥127.86166 +1000：￥126.592486 +2000：￥125.32331 +2500：￥124.069612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH72N30X3 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs TO247 300V 72A N-CH X3CLASS 下载数据手册未分类	+30：￥85.43372 +120：￥83.744914 +270：￥82.05611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH72N30X3参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X3
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	19 毫欧 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	82 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	390W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥69.099099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥121.510127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXFH72N30X3 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 72A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥93.762879 +90：￥92.200085 +150：￥90.637407 +300：￥89.074729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 36A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）