锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IXTA3N150HV6 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA3N150HV_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥60.452325

+10:

¥55.571721

+100:

¥46.932347

+500:

¥41.749806

+1000:

¥38.294598

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA3N150HV_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥147.882405

+10:

¥135.943153

+100:

¥114.808956

+500:

¥102.131087

+1000:

¥93.678735

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA3N150HV_未分类
IXTA3N150HV
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1500V 3A TO263

未分类

+1:

¥175.414912

+50:

¥142.095879

+100:

¥133.76612

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA3N150HV_未分类
IXTA3N150HV
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

未分类

+50:

¥85.283862

+100:

¥77.720384

+250:

¥76.32579

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA3N150HV_未分类
IXTA3N150HV
授权代理品牌
+1:

¥68.448087

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA3N150HV_未分类
IXTA3N150HV
授权代理品牌
+50:

¥69.246308

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTA3N150HV参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)