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IRF7350TRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.1A,1.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 210 毫欧 2.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 380pF 25V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |