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IXFR30N60P_未分类
IXFR30N60P
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IXFR30N60P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247

晶体管-FET,MOSFET-单个

+30:

¥155.488097

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 85 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3820 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 166W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS247™

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFR30N60P_未分类
IXFR30N60P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247

未分类

+1:

¥179.778544

+10:

¥165.294018

+30:

¥158.477769

+120:

¥139.449077

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 85 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3820 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 166W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS247™

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXFR30N60P参数规格

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