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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAW60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.616986 +10：￥13.274426 +30：￥10.931866 +100：￥9.760586 +500：￥8.979773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAW60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.13589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAW60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.256854 +10：￥14.147769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPAW60R360P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 9A TO220 下载数据手册晶体管	+1：￥19.564054 +10：￥12.455783 +100：￥10.646106 +450：￥10.629803 +900：￥8.673399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 22W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPAW60R360P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	555 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	22W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）