搜索 IXFH50N60X 共 5 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXFH50N60X 授权代理品牌 | +1: ¥198.515714 +210: ¥79.21178 +510: ¥76.567381 +990: ¥75.256108 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXFH50N60X 授权代理品牌 | +1: ¥108.527665 |
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXFH50N60X 授权代理品牌 | +1: ¥178.655075 +10: ¥161.436968 +30: ¥153.861001 +120: ¥133.474764 |
IXFH50N60X参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | IXYS |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HiPerFET™, Ultra X |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 73 毫欧 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V 4mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 116 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4660 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 660W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247(IXTH) |
封装/外壳: | TO-247-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |