IPB034N06L3GATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.154266 +10：￥23.843303 +30：￥21.876395	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 93µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 79 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.1148 +100：￥6.87764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 93µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 79 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 93µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 79 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥6.785651 +2000：￥6.446429 +5000：￥6.204036 +10000：￥5.998646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 93µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 79 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥11.725582 +2000：￥11.139408 +5000：￥10.720553 +10000：￥10.36564	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 93µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 79 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.755621 +10：￥20.526017 +100：￥16.332491 +500：￥13.819358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.755621 +10：￥20.526017 +100：￥16.332491 +500：￥13.819358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB034N06L3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥31.316583 +10：￥25.938988 +100：￥20.719557 +250：￥19.137911 +500：￥17.239938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 93µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 79 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB034N06L3GATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥12.25459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB034N06L3GATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+3：￥24.568009 +12：￥21.04505 +51：￥17.52209 +102：￥16.502287 +501：￥14.091839	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB034N06L3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	79 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）