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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.94324 +300：￥8.18444 +1000：￥6.34524 +4000：￥4.598 +20000：￥4.1382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.029793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+100：￥5.454398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7855TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.786961 +4000：￥2.465388 +12000：￥2.422492 +20000：￥2.358198 +28000：￥2.3153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7855TRPBF 授权代理品牌	IRF7855TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.793508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.507474 +10：￥5.694126 +30：￥4.677268 +100：￥4.351859 +300：￥4.189213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.501034 +500：￥5.40935 +1000：￥5.363508 +3000：￥5.271824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.88962 +1000：￥3.820163 +5000：￥3.750705 +10000：￥3.681248	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF 授权代理品牌	IRF7855TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥3.077199 +500：￥2.840696 +2000：￥2.603962 +6000：￥2.367227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.584893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7855TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.4 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1560 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册未分类	+100：￥5.454398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7855TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.786961 +4000：￥2.465388 +12000：￥2.422492 +20000：￥2.358198 +28000：￥2.3153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7855TRPBF 授权代理品牌	IRF7855TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.793508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.507474 +10：￥5.694126 +30：￥4.677268 +100：￥4.351859 +300：￥4.189213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.501034 +500：￥5.40935 +1000：￥5.363508 +3000：￥5.271824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.88962 +1000：￥3.820163 +5000：￥3.750705 +10000：￥3.681248	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7855TRPBF 授权代理品牌	IRF7855TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥3.077199 +500：￥2.840696 +2000：￥2.603962 +6000：￥2.367227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数