品牌： International Rectifier

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8mOhm 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Digi-Key 停止提供

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）