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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZA60R045P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.2604 +200：￥57.717 +500：￥46.1736 +1000：￥38.478	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.08mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3891 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 201W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-3 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZA60R045P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.551074 +10：￥46.753892 +240：￥36.67012 +720：￥34.378157 +1200：￥30.94033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.08mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3891 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 201W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-3 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPZA60R045P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥133.44638 +10：￥114.372407 +240：￥89.704828 +720：￥84.098082 +1200：￥75.688244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.08mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3891 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 201W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-3 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPZA60R045P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_NEW 下载数据手册晶体管	+1：￥152.385256 +10：￥130.662598 +25：￥118.41298 +100：￥108.776613 +240：￥102.406812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.08mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3891 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 201W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-4-3 封装/外壳： TO-247-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPZA60R045P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	90 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3891 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	201W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-4-3
封装/外壳:	TO-247-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）