IPD50R280CEAUMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.489414 +10：￥17.416014 +30：￥14.342614 +100：￥12.805914 +500：￥11.781407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 4.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 773 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 119W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册	+1：￥7.946141 +10：￥6.959504 +30：￥6.418445 +100：￥5.919822 +500：￥5.590943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 4.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 773 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 119W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.87764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 4.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 773 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 119W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.118104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 4.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 773 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 119W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.520237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 4.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 773 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 119W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.196086 +10：￥23.54933 +100：￥18.930404 +500：￥15.553689 +1000：￥12.887253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252
IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.196086 +10：￥23.54933 +100：￥18.930404 +500：￥15.553689 +1000：￥12.887253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R280CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 13A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥28.333081 +10：￥25.387563 +100：￥20.478365 +500：￥16.831533 +1000：￥14.16654	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 4.2A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 350µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 773 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 119W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPD50R280CEAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280 毫欧 4.2A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	773 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	119W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）