搜索 IRF1902GTRPBF 共 2 条相关记录
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC | +87： ￥1.102075 +100： ￥1.056155 +300： ￥1.010236 +500： ￥0.964316 +1000： ￥0.918313 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC | +87： ￥1.904383 +100： ￥1.825033 +300： ￥1.745684 +500： ￥1.666336 +1000： ￥1.586842 |
IRF1902GTRPBF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 85 毫欧 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 700mV 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.5 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 310 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |