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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7458TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥17.113393 +100：￥11.573045 +1000：￥8.495168 +4000：￥6.155875 +8000：￥5.848051	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7458TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.266635 +10：￥6.097417 +30：￥5.452708 +100：￥4.731508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7458TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.173299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7458TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥11.414461 +8000：￥10.991621 +12000：￥10.568919	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7458TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.979064 +10：￥22.411771 +100：￥18.009905 +500：￥14.796488 +1000：￥12.259864	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
IRF7458TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.979064 +10：￥22.411771 +100：￥18.009905 +500：￥14.796488 +1000：￥12.259864	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7458TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥28.155333 +10：￥25.191614 +100：￥20.252082 +500：￥16.629759 +1000：￥14.522226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，16V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 14A，16V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2410 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7458TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥12.754769 +10：￥12.235898 +25：￥12.217814 +100：￥11.08826 +250：￥11.0354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7458TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V，16V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 14A，16V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2410 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）