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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.202839 +10：￥15.46864 +30：￥12.890493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 3.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160pF 25V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 3.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160pF 25V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.926506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 3.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160pF 25V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.754201 +8000：￥1.633188 +12000：￥1.572736 +28000：￥1.532381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 3.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160pF 25V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.29124 +8000：￥3.995211 +12000：￥3.847329 +28000：￥3.748608	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 3.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160pF 25V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.130933 +10：￥9.766069 +100：￥7.486878 +500：￥5.919007 +1000：￥4.735153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)
	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.130933 +10：￥9.766069 +100：￥7.486878 +500：￥5.919007 +1000：￥4.735153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥12.021129 +10：￥10.545809 +100：￥8.086942 +500：￥6.393056 +1000：￥5.12264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 3.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160pF 25V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

IRFHS9351TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	2 P-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	170mOhm 3.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	160pF 25V
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	6-VQFN Exposed Pad
供应商器件封装:	6-PQFN (2x2)
温度:	-55°C # 150°C (TJ)