搜索 IRFH7004TR2PBF 共 3 条相关记录
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | 1+: | |||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VQFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6) |
IRFH7004TR2PBF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.4 毫欧 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.9V 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 194 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6419 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 温度: | - |