搜索 IRLR8103VTRPBF 共 9 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRLR8103VTRPBF 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK | +1: ¥7.561671 +200: ¥2.928508 +500: ¥2.830163 +1000: ¥2.775527 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRLR8103VTRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥2.331689 +2500: ¥2.195783 +7500: ¥2.098543 +12500: ¥2.040314 | 暂无参数 | |||
IRLR8103VTRPBF | +10: ¥2.367112 +500: ¥2.185133 +2000: ¥2.003039 +6000: ¥1.820945 | 暂无参数 | |||
IRLR8103VTRPBF | +1: ¥2.244866 +10: ¥2.188722 +30: ¥2.132577 +50: ¥2.076548 +80: ¥2.020403 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRLR8103VTRPBF 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
IRLR8103VTRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 91A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 9 毫欧 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 27 nC 5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2672 pF 16 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 115W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |