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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4510PBF 授权代理品牌	IRFR4510PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥7.736871 +10：￥6.189589 +30：￥5.526386 +100：￥5.084174 +2500：￥4.553749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR4510PBF 授权代理品牌	IRFR4510PBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥4.971074 +500：￥4.588595 +2000：￥4.206346 +6000：￥3.823867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR4510PBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFR4510PBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥4.120566 +2500：￥3.790875 +7500：￥3.725006 +12500：￥3.626145 +15000：￥3.395315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4510PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR4510PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRFR4510PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 100V 56A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 81 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3031 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFR4510PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Digi-Key 停止提供
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.9 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	81 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3031 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	143W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）