IRFIB41N15DPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIB41N15DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.364 +10：￥29.2094 +30：￥24.0548 +100：￥21.4775 +500：￥19.7593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFIB41N15DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP 下载数据手册	+1：￥17.57105 +10：￥15.363742 +30：￥13.975978 +100：￥12.555433 +500：￥11.921652	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFIB41N15DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.79871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFIB41N15DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFIB41N15DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFIB41N15DPBF International 授权代理品牌	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 45mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220AB Full-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2520 pF @ 25 V

Mouser

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	IRFIB41N15DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFIB41N15DPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2520 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	48W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）