IPB120N10S405ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.698121 +200：￥13.915121 +500：￥11.132 +1000：￥9.276707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.875088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥15.941766 +300：￥15.868632 +500：￥15.795498 +1000：￥15.722486 +5000：￥15.503084	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+7000：￥6.983912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+7000：￥17.084499	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1000：￥32.235667	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 120µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6540 pF @ 25 V
IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥58.514266 +10：￥52.611057 +100：￥43.103784 +500：￥36.693365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 120µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6540 pF @ 25 V
IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥58.514266 +10：￥52.611057 +100：￥43.103784 +500：￥36.693365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 120µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6540 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB120N10S405ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥64.90582 +10：￥58.349677 +100：￥47.859847 +500：￥40.648089 +1000：￥34.419754	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB120N10S405ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	91 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6540 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	190W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）