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	IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.423014 +10：￥11.409574 +30：￥9.396134 +100：￥8.389414 +500：￥7.718227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.778234	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7473TRPBF 授权代理品牌	IRF7473TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.244866 +10：￥2.188722 +30：￥2.132577 +50：￥2.076548 +80：￥2.020403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7473TRPBF 授权代理品牌	IRF7473TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.479445 +500：￥1.36565 +2000：￥1.251856 +6000：￥1.138061	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.763213 +8000：￥3.584004 +12000：￥3.418589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥9.205816 +8000：￥8.767424 +12000：￥8.362776	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.30569 +10：￥18.216314 +100：￥14.162684 +500：￥12.004751 +1000：￥9.779044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.30569 +10：￥18.216314 +100：￥14.162684 +500：￥12.004751 +1000：￥9.779044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

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	IRF7473TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥24.84483 +10：￥20.921963 +100：￥16.198175 +500：￥13.730039 +1000：￥11.180176	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 4.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7473TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	61 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）