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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+20：￥9.713033 +100：￥6.568485 +1000：￥4.821608 +4000：￥3.493875 +8000：￥3.319151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2940pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥6.064635 +10：￥4.960981 +30：￥4.414617 +100：￥3.868254 +500：￥3.420236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2940pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.3006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2940pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7324TRPBF 授权代理品牌	IRF7324TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.353611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7324TRPBF 授权代理品牌	IRF7324TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.952914 +500：￥1.802769 +2000：￥1.65251 +6000：￥1.50225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.34147 +100：￥5.287105 +1000：￥4.889808 +2000：￥4.645318 +4000：￥4.431389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2940pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.583919 +50：￥21.224244 +1000：￥20.684676 +3000：￥20.324886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2940pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.807422 +8000：￥3.626123 +12000：￥3.458768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2940pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥8.614816 +8000：￥8.444847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2940pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥31.668175 +10：￥20.270691 +100：￥13.719817 +500：￥10.914353 +1000：￥10.011734	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7324TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	63nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2940pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）