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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.33395 +10：￥3.06936 +30：￥3.01644 +100：￥2.85768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.040273 +300：￥6.113525 +1000：￥4.487648 +4000：￥3.251875 +8000：￥3.089251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.383532	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.274306 +8000：￥4.113632 +12000：￥3.97743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥10.456086 +8000：￥10.063034 +12000：￥9.729848	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.145893 +10：￥19.259669 +100：￥15.330583 +500：￥12.971702 +1000：￥11.006444	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.145893 +10：￥19.259669 +100：￥15.330583 +500：￥12.971702 +1000：￥11.006444	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

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	IRF7351TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥26.47569 +10：￥21.899645 +100：￥17.48703 +250：￥16.179588 +500：￥14.676031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.8 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330pF 30V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7351TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17.8 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1330pF 30V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）