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	IRFU13N20DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.357161 +200：￥16.964321 +500：￥13.57136 +1000：￥11.309507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFU13N20DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.882013 +200：￥8.08618 +500：￥7.802071 +1000：￥7.660016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFU13N20DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.705401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFU13N20DPBF 授权代理品牌	IRFU13N20DPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥5.968947 +20：￥5.815908 +50：￥5.611818 +4000：￥5.560767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFU13N20DPBF 授权代理品牌	IRFU13N20DPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥5.305164 +10：￥5.172501 +30：￥5.039952 +50：￥4.907288 +80：￥4.774624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRFU13N20DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFU13N20DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFU13N20DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRFU13N20DPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFU13N20DPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	235 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	830 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）