品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 8 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 Vr、F 时电容： 250pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： PG-TO263-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 8 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 Vr、F 时电容： 250pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： PG-TO263-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 8 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 Vr、F 时电容： 250pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： PG-TO263-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：