IRFR15N20DTRPBF厂家价格_数据手册

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	IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.453069 +200：￥7.068941 +500：￥5.188964 +2000：￥3.760075 +4000：￥3.572041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥5.808109 +10：￥4.904859 +30：￥4.453234 +100：￥4.001609 +500：￥3.739036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.578544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.456642 +4000：￥3.198857	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥8.455862 +4000：￥7.825253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.593431 +10：￥14.45721 +100：￥12.015548 +500：￥9.908927 +1000：￥9.0776	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.593431 +10：￥14.45721 +100：￥12.015548 +500：￥9.908927 +1000：￥9.0776	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR15N20DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.627166 +10：￥18.714713 +100：￥14.6166 +500：￥12.103092 +1000：￥9.425658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 910 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR15N20DTRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+6000：￥5.349715 +8000：￥5.295691 +10000：￥5.242922 +12000：￥5.19141 +20000：￥5.138641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFR15N20DTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	165 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	41 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	910 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）