IPB60R040CFD7ATMA1厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.962001 +10：￥67.454038 +30：￥66.448729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4351 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.2462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4351 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥27.699385 +2000：￥25.955386	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4351 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥67.760035 +2000：￥63.493751	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4351 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2 下载数据手册未分类	+1：￥119.483851 +10：￥102.397042 +100：￥85.327257 +500：￥75.289066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 40mOhm @ 24.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.25mA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4351 pF @ 400 V
IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2 下载数据手册未分类	+1：￥119.483851 +10：￥102.397042 +100：￥85.327257 +500：￥75.289066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 40mOhm @ 24.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.25mA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4351 pF @ 400 V

Mouser

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	IPB60R040CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2 下载数据手册未分类	+1：￥144.535478 +10：￥123.794228 +25：￥122.977643 +100：￥103.216295 +250：￥102.889661	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.25mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4351 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R040CFD7ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥70.927219	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 50A, 150度 C, 227W 下载数据手册未分类	+1：￥86.534741 +5：￥79.839314 +10：￥73.130576 +50：￥67.473404 +100：￥61.802924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥83.817666 +10：￥75.897097 +50：￥75.395794 +100：￥63.264291 +200：￥58.953095	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R040CFD7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 24.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	108 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4351 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）