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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.523881 +200：￥13.769921 +500：￥11.01584 +1000：￥9.179907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.937269 +200：￥6.556362 +500：￥6.326889 +1000：￥6.217617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4VSON 下载数据手册晶体管	+1：￥46.962274 +10：￥39.487309 +25：￥37.212321 +100：￥31.849847 +250：￥30.062355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 104.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPL65R340CFDAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	340 毫欧 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 400µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	41 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1100 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	104.2W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-VSON-4
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）