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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3709ZS JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF3709ZS JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+800：￥1.929761 +2400：￥1.896074 +4000：￥1.845833 +14400：￥1.761905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF3709ZS VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF3709ZS VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.311849 +800：￥3.046985 +2400：￥2.914437 +8000：￥2.782004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3709ZS INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 87A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.3 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3709ZS INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 87A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.3 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF3709ZS参数规格

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