IPA60R1K0CEXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA60R1K0CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.45159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA60R1K0CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220-3 下载数据手册未分类	+500：￥6.556684 +1000：￥5.176348 +2000：￥4.831347 +5000：￥4.589691 +10000：￥4.41719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA60R1K0CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥2.17577	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R1K0CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥5.32251	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPA60R1K0CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥21.877048 +10：￥13.79937 +100：￥9.173061 +500：￥7.186383 +1000：￥6.547359	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1Ohm @ 1.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 130µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R1K0CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥14.261288 +10：￥12.669332 +100：￥8.772352 +500：￥7.959789 +1000：￥6.119088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 130µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥6.242176 +1000：￥6.180265 +2000：￥6.118354 +2500：￥6.056443 +3000：￥5.99608	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 11 下载数据手册未分类	+50：￥5.604451 +100：￥4.795461 +250：￥4.707738 +500：￥3.39191 +1000：￥3.382165	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 6.8 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, IPA60R1K0CEXKSA1 下载数据手册未分类	+50：￥4.514823 +100：￥4.400855 +200：￥4.291899	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 6.8 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, IPA60R1K0CEXKSA1 下载数据手册未分类	+20：￥6.417183 +100：￥6.340788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R1K0CEXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	280 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	26W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）